半導(dǎo)體制造對潔凈環(huán)境的要求是極其苛刻的，堪稱所有工業(yè)潔凈室中標(biāo)準(zhǔn)zui高、控制zui嚴(yán)格的領(lǐng)域之一。其潔凈度環(huán)境不僅僅是“無塵"，而是一個對顆粒物、空氣溫濕度、氣流模式、振動、靜電（ESD）和分子污染物（AMC） 進(jìn)行全面控制的復(fù)雜系統(tǒng)工程。

一、潔凈室空氣潔凈度等級要求

潔凈度1級環(huán)境空氣中大于等于0.2μm的微粒數(shù)小于等于2粒/m3；
潔凈度2級環(huán)境空氣中大于等于0.5μm的微粒數(shù)小于等于4粒/m3；
潔凈度3級環(huán)境空氣中大于等于0.5μm的微粒數(shù)大于4粒/m3到小于等于35粒/m3；
潔凈度4級環(huán)境空氣中大于等于0.5μm的微粒數(shù)大于35粒/m3到小于等于352粒/m3；
潔凈度5級環(huán)境空氣中大于等于0.5μm的微粒數(shù)大于350粒/m3（0.35粒/L）到小于等于3500粒/m3（3.5粒/L）；大于等于5μm的微粒數(shù)為0粒/L。相當(dāng)于原100級；
潔凈度6級環(huán)境空氣中大于等于0.5μm 的微粒數(shù)大于3500粒/m3（3.5粒/L）到小于等于35200粒/m3（35.2粒/L）；大于等于5μm的微粒數(shù)小于等于293粒/m3（0.3粒/L）。相當(dāng)于原1000級；
潔凈度7級環(huán)境空氣中大于等于0.5μm的微粒數(shù)大于35200粒/m3（35.2粒/L）到小于等于352000粒/m3（352粒/L）；大于等于5μm的微粒數(shù)大于293粒/m3（0.3粒/L）到小于等于2930粒/m3（3粒/L）。相當(dāng)于原10000級；
潔凈度8級環(huán)境空氣中大于等于0.5μm的微粒數(shù)大于352000粒/m3（352粒/L）到小于等于3520000粒/m3（3520粒/L）；大于等于5μm 的微粒數(shù)大于2930粒/m3（3粒/L）到小于等于29300粒/m3（29粒/L）。相當(dāng)于原100000級；
潔凈度9級環(huán)境空氣中大于等于0.5μm的微粒數(shù)大于3520000粒/m3（3520粒/L）到小于等于35200000粒/m3（35200粒/L）；大于等于5μm的微粒數(shù)大于29300粒/m3（29粒/L）到小于等于293000粒/m3（293粒/L）。
二、潔凈環(huán)境品質(zhì)所要求的各方面
潔凈環(huán)境的主要品質(zhì)是空氣潔凈度，即對空氣的微粒濃度的要求。但是由于在潔凈的環(huán)境中所進(jìn)行的工作往往具有其特殊性，所以對該環(huán)境的品質(zhì)也往往還有其他要求。
有關(guān)空氣方面，具體要求氣流速度、壓力、微粒(包括非生物微粒和生物微粒)、有害氣體。
有關(guān)熱的方面，具體要求空氣溫度、濕度、表面熱輻射。
有關(guān)光的方面，具體要求控制照度、眩光、色彩。
有關(guān)聲的方面，具體要求噪聲控制。
有關(guān)電的方面，有靜電量。
有關(guān)力的方面，要求微振。
涉及以上諸方面的品質(zhì)，潔凈室在設(shè)計時所用到的參數(shù)包括：空氣潔凈度級別、表面潔凈度級別、換氣次數(shù)、工作面高度截面風(fēng)速、新風(fēng)量、靜壓差(正或負(fù))、溫度、相對濕度氣流方向、靜電壓照度、噪聲(A聲級)、表面電阻率、地面泄漏電阻、振幅空氣新鮮度、浮游菌或沉降菌濃度、分子態(tài)污染物。
三、半導(dǎo)體制造行業(yè)環(huán)境空氣潔凈度級別要求
半導(dǎo)體制造是電子信息產(chǎn)業(yè)的核心基礎(chǔ)行業(yè)，專注于設(shè)計、生產(chǎn)和測試半導(dǎo)體器件（如集成電路芯片、晶體管、傳感器等），廣泛應(yīng)用于計算機(jī)、通信、消費電子、汽車電子、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。半導(dǎo)體制造行業(yè)對空氣潔凈度級別的要求如下：
半導(dǎo)體制造：ISO3-7級
半導(dǎo)體裝配：iSO6-7級
1. 半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)
半導(dǎo)體制造是一個高度復(fù)雜、技術(shù)密集的流程，主要包括以下階段：
(1) 芯片設(shè)計
由芯片設(shè)計公司完成電路設(shè)計。
使用EDA（電子設(shè)計自動化）工具進(jìn)行仿真驗證。
(2) 晶圓制造
晶圓制造核心制造環(huán)節(jié)，在超潔凈環(huán)境下進(jìn)行。主要工藝包括光刻、刻蝕、薄膜沉積、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光。
光刻：用光刻機(jī)在硅片上刻制電路圖案。
刻蝕：去除多余材料，形成電路結(jié)構(gòu)。
薄膜沉積：在晶圓表面沉積導(dǎo)電或絕緣層。
離子注入：改變硅的導(dǎo)電性能。
化學(xué)機(jī)械拋光：使晶圓表面平整化。
(3) 封裝測試
封裝：將芯片切割后封裝成可用的電子元件（如CPU、內(nèi)存芯片）。
測試：確保芯片功能正常，剔除不良品。
2. 半導(dǎo)體制造的核心特點
(1) 技術(shù)門檻高。依賴納米級（3nm/5nm/7nm）制程技術(shù)，需極紫外光刻（EUV）等尖duan設(shè)備。全qiu僅有少數(shù)企業(yè)具備先jin制程能力。
(2) 投資規(guī)模巨大。一座晶圓廠（如3nm產(chǎn)線）投資可達(dá)200億~300億美元。設(shè)備成本高。
(3) 生產(chǎn)環(huán)境要求極其嚴(yán)格。潔凈度要求核心區(qū)域需ISO 1-3級（比手術(shù)室潔凈1000倍以上）。溫度±0.1℃波動，濕度±1% RH波動。防靜電、防振動，避免影響精密制造。
(4) 全qiu供應(yīng)鏈高度分工設(shè)計。
制造：中國臺灣（臺積電）、韓國（三星）、美國（英特爾）。
設(shè)備：荷蘭（ASML光刻機(jī)）、美國（應(yīng)用材料、泛林）、日本（東京電子）。
材料：日本（信越化學(xué)、JSR）、德國（默克）。
半導(dǎo)體制造是現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)的基石，涉及芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試等多個環(huán)節(jié)，具有技術(shù)密集、資本密集、環(huán)境要求極gao的特點。隨著5G、AI、自動駕駛等技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)將持續(xù)成為全qiu科技競爭的核心領(lǐng)域。